[发明专利]SF6电气设备检修系统在审
| 申请号： | 201610179529.3 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN105870812A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 石磊;车瑶;董方舟;张琛;刘弘景;李伟 | 申请（专利权）人： | 国网北京市电力公司;国家电网公司 |
| 主分类号： | H02B3/00 | 分类号： | H02B3/00;C01B17/45 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 赵囡囡;吴贵明 |
| 地址： | 100031 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种SF6电气设备检修系统，包括：气体储存装置，气体储存装置的进气口通过第一管路与待检修的SF6电气设备连接，气体储存装置的出气口通过第二管路与SF6电气设备连接，以使气体储存装置回收SF6电气设备内的SF6气体或向SF6电气设备内回充SF6气体。本发明中的SF6电气设备检修系统解决了现有技术中难以对SF6电气设备进行检修的问题。 | ||
| 搜索关键词： | sf sub 电气设备 检修 系统 | ||
【主权项】：
一种SF6电气设备检修系统，其特征在于，包括：气体储存装置(10)，所述气体储存装置(10)的进气口通过第一管路(30)与待检修的SF6电气设备(20)连接，所述气体储存装置(10)的出气口通过第二管路(40)与所述SF6电气设备(20)连接，以使所述气体储存装置(10)回收所述SF6电气设备(20)内的SF6气体或向所述SF6电气设备(20)内回充SF6气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国网北京市电力公司;国家电网公司，未经国网北京市电力公司;国家电网公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610179529.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种模块化充气式开关柜
- 下一篇：一种电视机铝合金底座二次折弯机构
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
