[发明专利]具有两种类型的发射极区的发射极的双极型晶体管器件有效
| 申请号： | 201610180420.1 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN106024871B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | C·耶格;R·巴布斯克;F·J·涅德诺斯塞德;H-J·舒尔策;A·维莱 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/417;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 公开了具有两种类型的发射极区的发射极的双极型晶体管器件。双极型半导体器件包括具有第一表面的半导体本体以及在半导体本体中的第一发射极区和第一掺杂类型的基极区，第一发射极区邻接第一表面，且包括与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第一类型发射极区、第二掺杂类型的多个第二类型发射极区、第一掺杂类型的多个第三类型发射极区和包括复合中心的复合区，第一类型发射极区和第二类型发射极区从第一表面延伸进入半导体本体，第一类型发射极区比第二类型发射极区具有更高的掺杂浓度且从第一表面更深地延伸进入半导体本体，第三类型发射极区邻接第一类型发射极区和第二类型发射极区，复合区至少位于第一类型发射极区和第三类型发射极区中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 种类 发射极 双极型 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
1.一种双极型半导体器件，包括：具有第一表面的半导体本体；在所述半导体本体中的第一发射极区和第一掺杂类型的基极区，以及在所述基极区和所述第一发射极区之间的所述第一掺杂类型的场停止区，其中：所述第一发射极区邻接所述第一表面，且包括与所述第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第一类型的发射极区、所述第二掺杂类型的多个第二类型的发射极区、所述第一掺杂类型的多个第三类型的发射极区、以及包括复合中心的复合区，所述第一类型的发射极区和所述第二类型的发射极区从所述第一表面延伸进入所述半导体本体，所述第一类型的发射极区比所述第二类型的发射极区具有更高的掺杂浓度且从所述第一表面更深地延伸进入所述半导体本体，所述第三类型的发射极区邻接所述第一类型的发射极区和所述第二类型的发射极区，以及所述复合区至少位于所述第一类型的发射极区和所述第三类型的发射极区中；以及所述场停止区的掺杂浓度高于所述基极区的掺杂浓度。
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