[发明专利]晶体硅刻槽埋栅电池的钝化接触电极结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种晶体硅刻槽埋栅电池的钝化接触电极结构及其制备方法，其特征是包括硅衬底，在硅衬底表面覆盖第一钝化层和第二钝化层，在硅衬底上设有槽体，槽体由第一钝化层的表面延伸至硅衬底内部，第二钝化层覆盖第一钝化层、槽体的侧壁和底部，在槽体内嵌设有电极。所述制备方法包括以下步骤第一步，在硅衬底表面生长第一钝化层；第二步，使用激光在硅衬底上形成槽体，槽体由第一钝化层表面延伸至硅衬底内部；第三步，在第一钝化层表面生成第二钝化层，第二钝化层覆盖第一钝化层的表面以及槽体的侧壁和底部；第四步，在槽体中金属化形成电极，使电极嵌在硅衬底中。本发明钝化接触电极，防止金属扩散至硅衬底内形成复合中心，实现高效。

主权项

一种晶体硅刻槽埋栅电池的钝化接触电极结构的制备方法，其特征是，包括以下步骤：第一步，在硅衬底（1）表面生长第一钝化层（2）；第二步，使用激光开槽，在硅衬底（1）上形成槽体（3），槽体（3）由第一钝化层（2）表面延伸至硅衬底（1）内部；第三步，在第一钝化层（2）表面生成第二钝化层（4），第二钝化层（4）覆盖第一钝化层（2）的表面以及槽体（3）的侧壁和底部；第四步，在槽体（3）中金属化形成电极（5），使电极（5）嵌在硅衬底（1）中；所述电极（5）与槽体（3）由第二钝化层（4）隔开；所述第一钝化层（2）采用氮化硅薄膜；所述第一钝化层（2）的厚度为75nm；所述激光的波长为600～1200nm；所述第二钝化层（4）的厚度≤10nm；所述第二钝化层（4）采用ALD生长的氧化铝。