[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201610180491.1 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN105826412B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 于振瑞 | 申请（专利权）人： | 中兴能源（天津）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/028 | 分类号： | H01L31/028;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 巩克栋,侯潇潇 |
| 地址： | 300450 天津市滨*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太阳能电池，所述太阳能电池包括设置于第一发射层上部的载流子放大单元，用于增大入射光产生的载流子数量；所述载流子放大单元包含至少一层再晶化硅层，所述再晶化硅层具有浓度为1018～1020cm‑3的缺陷态，所述缺陷态的能级在导带低之下0.2～0.4eV。在保持单结电池基本结构的同时，可以获得超高的效率，其最高理论效率可以高达60％，远远超过现有技术中单结电池结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括设置于第一发射层上部的载流子放大单元，用于增大入射光产生的载流子数量；所述载流子放大单元包含至少一层再晶化硅层，所述再晶化硅层具有缺陷态，所述缺陷态的能级在导带低之下0.2～0.4eV，所述再晶化硅层中缺陷态的密度为1018～1020cm‑3；所述载流子放大单元还包含设置于再晶化硅层入射光一侧的非晶化硅层；当所述载流子放大单元包含设置于再晶化硅层入射光一侧的非晶化硅层时，在载流子放大单元的入射光一侧设置透明导电层，用于将载流子导出至金属电极；或者，当所述载流子放大单元包含设置于再晶化硅层入射光一侧的非晶化硅层时，将所述太阳能电池的金属电极深入至与再晶化层接触，这种情况下，在所述载流子放大单元的入射光一侧设置钝化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
