[发明专利]一种富硒魔芋的立体栽培方法有效
申请号: | 201610180814.7 | 申请日: | 2016-03-28 |
公开(公告)号: | CN105815072B | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 陈虎昌;王翔;陈佳荷 | 申请(专利权)人: | 云南欣确生物科技有限公司 |
主分类号: | A01G22/25 | 分类号: | A01G22/25;C05G3/00 |
代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人: | 吕翠莲 |
地址: | 652100 云南省昆*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本发明提供一种富硒魔芋的立体栽培方法,包括备料、溶解高锰酸钾、浸泡子芋、安种、喷洒硒元素。本发明栽培的魔芋,每千克鲜芋含硒元素0.88‑1.5mg/kg,每千克精粉中含硒3.08‑5.25mg/kg;本发明所述立体栽培方法,每亩经济效在20000元至35000元之间;本发明富硒魔芋,商品芋单个大,单个商品芋3kg以上;本发明富硒魔芋,光滑,产量高,产量达15000斤以上;本发明富硒魔芋,加工魔芋干片等级优,达到特级;本发明富硒魔芋,加工精粉黑点、黄点极少,粘度高;黑点、黄点在5%以下,粘度达30000厘泊以上(mpa.s);本发明富硒魔芋,加工魔芋系列食品出品率高,出品率为96%。 | ||
搜索关键词: | 一种 魔芋 立体 栽培 方法 | ||
【主权项】:
1.一种富硒魔芋的立体栽培方法,其特征在于:包括备料、溶解高锰酸钾、浸泡子芋、安种、种丝瓜、连接钢管、喷洒硒元素;所述安种,在作畦三分之一处,挖8‑12公分深的沟,将浸泡杀菌的种子放入沟内,株距是下种种芋直径的5倍;所述安种,为在平地上安种,芽口向南25度倾斜,然后盖土12公分;或所述安种,为在坡地上安种,芽口向坡上45度倾斜;盖土8‑10公分;所述种丝瓜,安种好魔芋之后,将丝瓜种子种在每畦的两边株距50公分一株;经种植生长后叶、杆都在钢管架上;所述连接钢管,地面至空中2米处搭钢管架,钢管下面钻孔,并配套有供水设施,钢管架上面是丝瓜的叶、杆;所述喷洒硒元素,待魔芋完全展叶后,将硒元素加水90升喷施在魔芋叶片上;所述硒元素,为纳米级,直径为10亿分之一米,所述直径,是4个原子串起来的直径;所述栽培方法,还包括追肥,所述追肥,使用液体水溶肥进行滴灌,滴灌每亩使用2‑3升;所述液体水溶肥,以重量份数计,包括以下原料组分:尿素95‑105份、磷酸二氢铵290‑310份、水溶性聚磷酸钾190‑195份、磷酸90‑110份、螯合态微量元素18‑22份、茯苓提取物13‑17份、有机废液48‑54份、纳米麦芽糖微球8‑12份、表面活性剂18‑22份、水600‑650份。
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