[发明专利]一种硫化钨薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201610182002.6 | 申请日： | 2016-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN105810569A | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | 刘新科;何佳铸;刘强;吕有明;俞文杰;韩舜;曹培江;柳文军;曾玉祥;贾芳;朱德亮 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C01G41/00 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 王利彬 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于无机纳米膜材料技术领域，提供了一种硫化钨薄膜的制备方法，包括以下步骤：在硅衬底上镀上一层厚度为一个原子的W层；在所述W层上镀上一层厚度为一个原子的S层；以及在所述S层上镀上另一层厚度为一个原子的W层，获得WS2薄膜；所述WS2薄膜为W‑S‑W层状结构的单层薄膜。本发明还提供了一种硫化钨薄膜，采用上述的制备方法制成。由本发明的方法，可实现WS2薄膜的大面积制备；且制备的WS2薄膜的质量显著提高，这极大地改善了WS2薄膜的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硫化钨薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：在硅衬底上镀上一层厚度为一个原子的W层；步骤二：在所述W层上镀上一层厚度为一个原子的S层；步骤三：在所述S层上镀上另一层厚度为一个原子的W层，获得WS2薄膜；所述WS2薄膜为W‑S‑W层状结构的单层薄膜。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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