[发明专利]基于新型High-K材料的GeSn沟道场效应晶体管在审
| 申请号： | 201610182137.2 | 申请日： | 2016-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN105789283A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 韩根全;张春福;周久人;汪银花;张进城;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于新型High‑K材料的GeSn沟道场效应晶体管，主要解决现有基于现有介质材料的场效应晶体管，静态功耗大的问题。其包括：衬底(1)、沟道(2)、绝缘介质薄膜(3)、栅电极(4)、源极(5)和漏极(6)，衬底(1)采用的单晶半导体材料；该沟道(2)，采用Sn组分为[0.05，0.12]的通GeSn复合材料；该绝缘介质薄膜(3)采用介电常数在3.9～80范围的高介电常数材料；该栅电极(4)和绝缘介质薄膜(3)自上而下覆盖沟道(2)的正上方。本发明可在不提高工艺成本且满足等效氧化层厚度的前提下，提高栅极介电层的物理厚度，降低栅极漏电流，减小静态功耗，进而提升场效应晶体管的整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 新型 high 材料 gesn 沟道 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
基于新型High‑K材料的GeSn沟道场效应晶体管，包括：衬底(1)、沟道(2)、绝缘介质薄膜(3)、栅电极(4)、源极(5)和漏极(6)，该衬底(1)采用的IV族单晶半导体材料；该沟道(2)，采用通式为Ge1‑xSnx的GeSn单晶材料，其中x为Sn的组分，且0.05≤x≤0.12；该栅电极(4)和绝缘介质薄膜(3)自上而下覆盖于沟道(2)的正上方，其特征在于：绝缘介质薄膜(3)采用介电常数在3.9～80范围的高介电常数材料。
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