[发明专利]一种陶瓷基板表面金属化的方法

摘要

本发明涉及一种陶瓷基板表面金属化的方法。具体包括：镀鈦钨铜、脱脂、酸化腐蚀、酸化处理、贴膜、下底铜镀铜、线路铜镀铜、第一次镀镍、第二次镀镍、预镀金、镀金、去膜、蚀刻、退钛钨、脱水，以及封闭。本发明通过调整陶瓷基板金属化膜系工艺，将现有的金铬层金属化膜系调整为钛钨层金属化膜系，缩短了产品生产周期，提高了产品的最终良品率，且进一步满足了客户对精细线路板(线距0.08毫米)的需求。

主权项

1.一种陶瓷基板表面金属化的方法，包括：S1、镀鈦钨铜：在陶瓷基板表面依次进行镀鈦钨和镀铜处理，处理条件为：真空度1×10‑8，基片温度150‑200℃，氩压4×10‑3torr，偏压‑200V，时间30min，膜厚：鈦钨0.05‑0.1μm，铜0.5‑1μm；S2、脱脂：将S1所得基板放入脱脂液中，温度25℃‑35℃，脱脂5min‑10min后取出，用去离子水冲洗4‑6次；其中，每1L脱脂剂包含酸性脱脂剂80‑120ml、硫酸150‑250ml，其余为水；S3、酸化腐蚀：将S2所得基板放入腐蚀液中，室温下酸化腐蚀20‑40s后，用去离子水冲洗2‑3次；其中，每1L腐蚀液包含过硫酸钠150‑250g、硫酸30‑50ml，其余为水；S4、酸化处理：将S3所得基板放入浓度为10‑30vol％的硫酸溶液中，室温下酸化60‑120s，然后取出放入浓度为10‑30vol％的盐酸溶液中，室温下进行二次酸化，时间60‑120s，酸化处理后用去离子水冲洗4‑6次；S5、贴膜：将S4所得基板进行贴膜，温度105‑115℃，转速12.5mm/s，压力0.35Mpa，贴膜完毕后，冷却30min；S6、下底铜镀铜：将S5所得基板置于镀液Ⅰ中，于温度22‑28℃反应15‑25min，控制膜厚在3‑5微米；其中，每1L镀液Ⅰ包含硫酸铜60‑110g、硫酸160‑200g、氯离子40‑60mg、整平剂2‑4ml、光亮剂0.05‑0.15ml，其余为水；S7、线路铜镀铜：将S6所得基板置于镀液Ⅰ中，于温度22‑28℃进行镀铜，镀铜结束后，取出基板用去离子水冲洗4‑6次；其中，每1L镀液Ⅰ包含硫酸铜60‑110g、硫酸160‑200g、氯离子40‑60mg、整平剂2‑4ml、光亮剂0.05‑0.15ml，其余为水；S8、第一次镀镍：将S7所得基板置于镀液Ⅱ中，电流1‑3A/dm2，温度45‑55℃，反应10‑20min，控制膜厚在3‑9微米；其中，每1L镀液Ⅱ包含氨基磺酸镍250‑300g、氯化镍8‑14g、硼酸35‑45g、润湿剂1‑2.5ml、开缸剂3‑7ml，其余为水，镀液Ⅱ的pH值为3‑4.5；S9、第二次镀镍：将S8所得基板置于镀液Ⅲ中，电流1‑3A/dm2，温度45‑55℃，反应120s，镀镍结束后，取出基板用去离子水冲洗4‑6次；其中，每1L镀液Ⅲ包含氨基磺酸镍250‑300g、氯化镍8‑14g、硼酸35‑45g、润湿剂1‑2.5ml、开缸剂3‑7ml、含磷添加剂3‑7ml，其余为水，镀液Ⅲ的pH值为3.5‑5；S10、预镀金：将S9所得基板置于镀液Ⅳ中，电压2.8‑3.2V，反应时间30s；其中，每1L镀液Ⅳ包含氰化金钾0.5‑1.5g、柠檬酸2‑6g、柠檬酸钾60‑70g，其余为水，镀液Ⅳ的pH值为3.8‑5.4，比重8‑15Be；S11、镀金：将S10所得基板置于镀液Ⅴ中，电流0.1‑0.3A/dm2，温度63‑71℃，反应4‑6min，以控制膜厚在0.2‑0.5微米，镀金结束后，取出基板用去离子水冲洗4‑6次；其中，每1L镀液Ⅴ包含氰化金钾3‑5g、开缸剂5ml、柠檬酸盐30‑45g、光亮剂3‑6ml，其余为水，镀液Ⅴ的pH值为5‑6.5，比重12‑18Be；S12、去膜：将S11所得基板用浓度为10‑30g/L的KOH溶液进行去膜处理，处理温度50‑60℃；去膜完毕后，用去离子水冲洗基板4‑6次，每次冲洗时间3‑5min；S13、蚀刻：用蚀刻液对S12所得基板进行蚀刻，下底铜层的蚀刻速度1.5‑4m/min，蚀刻温度45‑55℃；其中，每1L蚀刻液包含亚氯酸钠150ml、硫酸铵150g、碳酸铵70g、氯化铵30g、氨水250ml，其余为水；S14、退钛钨：将S13所得基板用双氧水进行退钛钨处理，温度50‑60℃，时间15s；S15、脱水：将S14所得基板用无水乙醇进行脱水处理30s，然后于50‑70℃干燥2min，再于120‑210℃真空干燥120‑240min；S16、封闭：将S15所得基板用浓度为10vol％的TL‑CS溶液进行封闭处理，温度38‑42℃，时间3‑10s，然后用去离子水冲洗基板4‑6次，最后于50‑70℃干燥2min，即得。