[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法及液晶显示面板在审
申请号: | 201610182409.9 | 申请日: | 2016-03-28 |
公开(公告)号: | CN105845694A | 公开(公告)日: | 2016-08-10 |
发明(设计)人: | 刘勋 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;H01L21/336 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种薄膜晶体管、液晶显示面板及薄膜晶体管的制备方法。薄膜晶体管包括:基板;栅极,设置在基板的表面;栅极绝缘层,覆盖栅极;半导体层,设置在栅极绝缘层远离栅极的表面且对应栅极设置;蚀刻阻挡层,覆盖半导体层,蚀刻阻挡层包括第一贯孔及第二贯孔,第一贯孔及第二贯孔对应半导体层设置以显露部分半导体层;钝化层,覆盖蚀刻阻挡层,钝化层包括第三贯孔及第四贯孔,第三贯孔对应第一贯孔设置且与第一贯孔连通,第四贯孔对应第二贯孔设置且与第二贯孔连通;源极,设置在钝化层上且通过第一贯孔及第三贯孔连接半导体层的一端;及漏极,设置在钝化层上,与源极间隔设置,且通过第二贯孔及第四贯孔连接半导体层的另一端。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 制备 方法 液晶显示 面板 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管包括:基板;栅极,设置在所述基板的表面;栅极绝缘层,覆盖所述栅极;半导体层,设置在所述栅极绝缘层远离所述栅极的表面且对应所述栅极设置;蚀刻阻挡层,覆盖所述半导体层,所述蚀刻阻挡层包括第一贯孔及第二贯孔,所述第一贯孔及第二贯孔对应所述半导体层设置以显露部分所述半导体层,且所述第一贯孔及所述第二贯孔间隔设置;钝化层,覆盖所述蚀刻阻挡层,所述钝化层包括第三贯孔及第四贯孔,所述第三贯孔对应所述第一贯孔设置且与所述第一贯孔连通,所述第四贯孔对应所述第二贯孔设置且与所述第二贯孔连通;源极,设置在所述钝化层上且通过所述第一贯孔及所述第三贯孔连接所述半导体层的一端;及漏极,设置在所述钝化层上,与所述源极间隔设置,且通过所述第二贯孔及所述第四贯孔连接所述半导体层的另一端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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