[发明专利]一种氮掺杂碳纳米复合材料及其制备方法和用途在审
申请号: | 201610182655.4 | 申请日: | 2016-03-28 |
公开(公告)号: | CN107240506A | 公开(公告)日: | 2017-10-10 |
发明(设计)人: | 智林杰;梁家旭;肖志昌 | 申请(专利权)人: | 国家纳米科学中心 |
主分类号: | H01G11/36 | 分类号: | H01G11/36;H01G11/30;H01G11/86 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 巩克栋,侯潇潇 |
地址: | 100190 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种氮掺杂碳纳米复合材料,所述复合材料具有导电网络结构,氮元素参与导电网络骨架的形成;所述导电网络结构由芳香腈化合物单体与碳纳米材料原位聚合后得到,或者所述导电网络结构由芳香腈化合物单体的预聚体与碳纳米材料聚合后得到。本发明使用芳香腈化合物单体与碳纳米材料聚合得到芳香腈聚合物/碳纳米材料的复合结构,碳纳米材料作为基本骨架提供了丰富的导电网络和良好的机械韧性,芳香腈聚合物具有高氮含量掺杂和均匀氮元素分布的特点,同时具有高比表面积和均匀分布的孔结构;本发明提供的氮掺杂碳纳米复合材料在超级电容器中表现出高比电容和循环稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 掺杂 纳米 复合材料 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】:
一种氮掺杂碳纳米复合材料,其特征在于,所述复合材料具有导电网络结构,氮元素参与导电网络骨架的形成;所述导电网络结构由芳香腈化合物单体与碳纳米材料原位聚合后得到,或者所述导电网络结构由芳香腈化合物单体的预聚体与碳纳米材料聚合后得到。
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