[发明专利]碳化硅(SiC)器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610183536.0 | 申请日： | 2016-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN106024913B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 安德烈·康斯坦丁诺夫 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司;快捷半导体（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 浦彩华;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在至少一个一般方面，本发明提供了一种SiC器件及其制造方法，所述SiC器件可包括第一导电类型的漂移区、屏蔽体和肖特基区。所述SiC器件可包括至少部分地围绕所述屏蔽体和所述肖特基区的具有第二导电类型的边缘。所述SiC器件可包括至少部分地围绕所述边缘并且具有所述第二导电类型的掺杂的终端区。所述终端区可具有设置在第一区带和第二区带之间的过渡区带，其中所述第一区带的顶表面的深度小于所述第二区带的顶表面的深度，并且所述过渡区带具有凹陷部。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 sic 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅(SiC)器件，包括：第一导电类型的漂移区；屏蔽体；肖特基区；边缘，所述边缘具有第二导电类型且至少部分地围绕所述屏蔽体和所述肖特基区；以及终端区，所述终端区至少部分地围绕所述边缘并具有所述第二导电类型的掺杂，所述终端区具有设置在第一区带和第二区带之间的过渡区带，所述第一区带的顶表面的深度小于所述第二区带的顶表面的深度，所述过渡区带具有凹陷部。
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