[发明专利]并噻吩并吡咯醌式化合物、制备方法及包含该材料的半导体设备有效
| 申请号： | 201610183594.3 | 申请日： | 2016-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN105837598B | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 于晓强;江华;包明;冯秀娟 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C07D495/22 | 分类号： | C07D495/22;H01L51/30 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 梅洪玉 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一类并噻吩并吡咯醌式化合物、制备方法及其作为半导体活性层在有机场效应晶体管中的应用。该类化合物具有分子骨架平面性好、自组装能力强、LUMO能级低、能级带隙窄、对氧气和水不敏感等特点，吡咯结构的引入便于通过对取代基的修饰而调节样品溶解性，利于进行溶液加工。由旋涂法制备以化合物Ia为半导体层的有机场效应晶体管具有优良的双极型场效应性能(μh＝5.3×10‑3cm2V‑1s‑1,μe＝7.7×10‑3cm2V‑1s‑1)。其开关电流比在104以上，且在空气中稳定，具有重要的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 噻吩 吡咯 化合物 制备 方法 包含 材料 半导体设备 | ||
【主权项】：
1.具有下述通式的并噻吩并吡咯醌式化合物，其特征在于，结构如下：![]()
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