[发明专利]成膜装置以及温度测量方法有效
申请号: | 201610183643.3 | 申请日: | 2016-03-28 |
公开(公告)号: | CN106011787B | 公开(公告)日: | 2018-11-09 |
发明(设计)人: | 家近泰;秋田征人 | 申请(专利权)人: | 纽富来科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/52;G01J5/00 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陈英俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的实施方式提供一种能够抑制温度测量精度降低的同时能够降低可测量的下限温度的成膜装置以及温度测量方法。实施方式的成膜装置包括:支承部,用于支承基板;旋转部,通过所述支承部使所述基板以基板的中心为旋转中心朝面内方向旋转;气体供应部,向基板上供应工艺气体;排气部,排出含有反应后的工艺气体的气体;加热部,用于加热基板;辐射温度计,用于测量基板表面的温度。辐射温度计具备:照射光的光源,向基板的表面照射;第一受光部,接收来自第一测量区域的反射光,该第一测量区域距离基板表面的旋转中心规定距离;第二受光部,接收来自第二测量区域的热辐射光,该第二测量区域在从基板表面的旋转中心相隔规定距离处朝基板的旋转方向延伸。 | ||
搜索关键词: | 装置 以及 温度 测量方法 | ||
【主权项】:
1.一种成膜装置,其特征在于,包括:支承部,用于支承基板;旋转部,通过所述支承部使所述基板以所述基板的中心为旋转中心朝面内方向旋转;气体供应部,向所述基板上供应工艺气体;排气部,排出含有反应后的所述工艺气体的气体;加热部,用于加热所述基板;以及辐射温度计,用于测量所述基板表面的温度,所述辐射温度计具备:照射光的光源,向所述基板的表面照射;第一受光部,接收来自第一测量区域的反射光,所述第一测量区域从所述基板表面的所述旋转中心相隔规定距离;第二受光部,接收来自第二测量区域的热辐射光,并且,所述热辐射光在所述第二受光部的受光面上具有扩展区域,所述扩展区域在所述基板的旋转方向上延伸,所述第二测量区域具有在从所述基板表面的旋转中心相隔所述规定距离处在所述基板的旋转方向上从所述第一测量区域延伸的形状。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的