[发明专利]一种半导体激光器腔面钝化方法在审
| 申请号： | 201610184071.0 | 申请日： | 2016-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN105633793A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 高欣;薄报学;乔忠良;张晶;李占国;李辉;李特;曲轶 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种半导体激光器腔面钝化方法，属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效满足高功率半导体激光器腔面钝化的技术要求，使半导体激光器在高功率条件下的工作稳定性受到限制。本发明采用短波激光激发钝化气体分子离化，在较低的温度条件下使钝化气体与GaAs半导体激光器腔面发生化学反应，生成具有高化学稳定性的表面层，该表面层对GaAs半导体激光器腔面的内部结构起到保护作用，从而改善GaAs半导体激光器腔面在环境气氛中高功率工作的可靠性。该方法可应用于各类GaAs基高功率半导体激光器的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 钝化 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器腔面钝化方法，其特征在于，采用短波长激光（6）激发钝化气体分子（4）离化，在较低的温度条件下使钝化气体与GaAs半导体激光器腔面发生化学反应，生成具有高化学稳定性的表面层（2），该表面层（2）对GaAs半导体激光器腔面的内部结构起到保护作用，从而改善GaAs半导体激光器腔面在环境气氛中高功率工作的可靠性。
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