[发明专利]一种莫桑石的切割工艺有效
申请号: | 201610185225.8 | 申请日: | 2016-03-29 |
公开(公告)号: | CN105619229B | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | 潘志奇;任启磊 | 申请(专利权)人: | 深圳予爱珠宝有限公司 |
主分类号: | B24B29/02 | 分类号: | B24B29/02;B24D7/00;C09G1/04 |
代理公司: | 成都佳划信知识产权代理有限公司 51266 | 代理人: | 马冬新 |
地址: | 518040 广东省深圳市福*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及珠宝领域,尤其涉及一种莫桑石的切割工艺,采用水基的抛光液,配合专用的抛光盘,控制莫桑石与抛光盘表面接触,调控抛光液呈线状添加到莫桑石与抛光盘接触面,然后对莫桑石进行反复切割打磨,抛光盘转速1500‑1800r/min,抛光液添加速度60‑80ml/min;所述的水基抛光液由水和烷基磺酸钠组成,两物质的质量比为2500:1‑3500:1;所述的抛光盘的外圆直径为100‑200mm,内圆直径为30‑60mm,内孔直径为11‑14mm,厚度为13‑16mm。采用水基抛光液,可以带走切磨过程中产生的高温,改善了色泽,同时配合专用的抛光盘,使得莫桑石的产品色级得到较高程度的提高,使消费者可以采用较少的成本而获得比钻石更闪亮,产品色级更高的莫桑石。 | ||
搜索关键词: | 抛光盘 抛光液 切割 水基抛光液 专用的 抛光盘表面 抛光盘转速 烷基磺酸钠 珠宝领域 质量比 内孔 内圆 切磨 外圆 线状 打磨 钻石 配合 调控 | ||
【主权项】:
1.一种莫桑石的抛光工艺,其特征是:采用水基的抛光液,配合专用的抛光盘,控制莫桑石与抛光盘表面接触,调控抛光液呈线状添加到莫桑石与抛光盘接触面,然后对莫桑石进行反复切割打磨,抛光盘转速1500‑1800r/min,抛光液添加速度60‑80ml/min;所述的水基抛光液由水和烷基磺酸钠组成,两物质的质量比为3000:1;所述的抛光盘的外圆直径为100‑200mm,内圆直径为30‑60mm,内孔直径为11‑14mm,厚度为13‑16mm;所述的抛光盘为树脂金刚石砂轮结构,由工作层、基体两部分组成;所述的抛光盘工作层通过常规方式粘结在抛光盘基体的上表面;所述的抛光盘工作层厚度c与抛光盘基体的厚度b比值为6:7;所述的抛光盘工作层是砂轮的工作部分,由金刚石粉,树脂粉,粘合剂粉按质量比2:15:5混匀,烧结而成;所述的金刚石粉粒度w1.0为20000目;所述的抛光盘工作层的金刚石粉分布均匀;所述的抛光盘基体用于承接工作层,并在使用时用法兰盘牢固地夹持在磨床主轴上,材质为铝。
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