[发明专利]蚀刻喷洒模块及使用该蚀刻喷洒模块之湿式蚀刻装置在审
申请号: | 201610186608.7 | 申请日: | 2016-03-29 |
公开(公告)号: | CN107240561A | 公开(公告)日: | 2017-10-10 |
发明(设计)人: | 黄荣龙;吕峻杰;陈滢如 | 申请(专利权)人: | 盟立自动化股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G02F1/13 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)31218 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种蚀刻喷洒模块及使用该蚀刻喷洒模块之湿式蚀刻装置,该湿式蚀刻装置包括一腔体以及该蚀刻喷洒模块。该腔体包括一进气口、一出气口、以及一蚀刻液入口。该蚀刻喷洒模块设置于该腔体中以对一基板进行蚀刻。该蚀刻喷洒模块包括一本体以及若干个喷嘴。各喷嘴包括一第一入口、一第二入口、以及一喷嘴出口。该喷嘴出口之一口径小于该第一入口之一口径且小于该第二入口之一口径。该湿式蚀刻装置及该蚀刻喷洒模块能将蚀刻液均匀地喷洒在基板上。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 喷洒 模块 使用 装置 | ||
【主权项】:
一种湿式蚀刻装置,其特征在于,包括:一腔体,包括:一进气口,用于导入一蚀刻所需气体;一出气口,用于导出该蚀刻所需气体;以及一蚀刻液入口,用于导入一蚀刻液;以及一蚀刻喷洒模块,设置于该腔体中以对一基板进行蚀刻,该蚀刻喷洒模块包括:一本体,连接至该进气口及该蚀刻液入口;以及若干个喷嘴,设置于该本体朝向该基板之一表面上,各喷嘴呈一上宽下窄的形状且包括:一第一入口,用于导入经由该本体之该蚀刻液;一第二入口,用于导入经由该本体之该蚀刻所需气体;以及一喷嘴出口,该喷嘴出口之一口径小于该第一入口之一口径且小于该第二入口之一口径。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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