[发明专利]一种铁基化合物超导薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201610186647.7 | 申请日： | 2016-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN105839056B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 徐中堂;马衍伟;原蒲升 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
一种铁基化合物超导薄膜的制备方法。把铁基超导化合物靶材放入脉冲激光外延沉积系统中，在真空度低于9×10‑5Pa的环境下，以脉冲激光熔融铁基超导化合物靶材，并在加热的金属基带上沉积成膜。沉积过程中靶材和金属基带保持有距离；靶材和金属基带两者均保持自转。沉积完成后，降温至环境温度，形成铁基化合物超导薄膜。所述的金属基带为IBAD或RABiTS；金属基带的加热温度为350℃～950℃，沉积时间为50～200分钟，真空度低于9×10‑5Pa，激光能量密度为每脉冲100mJ～350mJ，靶材与金属基带之间的距离为3.5cm～5.5cm。所述的铁基超导化合物靶材为FeSe1‑xTex，0.1 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 超导 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铁基化合物超导薄膜的制备方法，其特征在于所述的制备方法步骤如下：把铁基超导化合物靶材放入脉冲激光外延沉积系统中，在真空度低于9×10‑5Pa的环境下，以脉冲激光熔融铁基超导化合物靶材，在加热的金属基带上沉积成膜；沉积过程中靶材和金属基带保持有距离；靶材和金属基带两者均保持自转；沉积完成后，降温至环境温度，形成铁基化合物超导薄膜；所述的金属基带为IBAD或RABiTS；金属基带的加热温度为350℃～950℃，沉积时间为50～200分钟，真空度低于9×10‑5Pa，激光能量密度为每脉冲100mJ～350mJ，靶材与金属基带之间的距离为3.5cm～5.5cm；所述的铁基超导化合物靶材为FeSe1‑xTex，0.1
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