[发明专利]光刻用显影液及抗蚀图案形成方法有效
| 申请号： | 201610186764.3 | 申请日： | 2016-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN106019862B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 千坂博树;野田国宏;三隅浩一;盐田大 | 申请（专利权）人： | 东京应化工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/32 | 分类号： | G03F7/32;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;牛蔚然 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明的课题在于提供一种抑制迁移或基板、布线的表面氧化的效果优异的光刻用显影液及抗蚀图案形成方法。本发明的解决手段为一种光刻用显影液，所述光刻用显影液含有(A)下述通式(1)表示的咪唑化合物和(B)水及/或有机溶剂。式(1)中，R |
||
| 搜索关键词： | 光刻 显影液 图案 形成 方法 | ||
【主权项】：
光刻用显影液，其含有(A)下述通式(1)表示的咪唑化合物和(B)水及/或有机溶剂，![]()
式(1)中，R1为氢原子或烷基，R2为可以具有取代基的芳香族基，R3为可以具有取代基的亚烷基，R4各自独立地为卤素原子、羟基、巯基、硫醚基、甲硅烷基、硅烷醇基、硝基、亚硝基、磺酸盐/酯基、膦基、氧膦基、膦酸盐/酯基、或有机基团，n为0～3的整数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京应化工业株式会社，未经东京应化工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610186764.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
