[发明专利]一种改善晶圆翘曲度的方法有效
| 申请号： | 201610186873.5 | 申请日： | 2016-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN105702564B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 雷通;易海兰;周海锋 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善晶圆翘曲度的方法，通过先在晶圆上沉积应力薄膜，然后通过光刻工艺对晶圆进行图形化，用光刻胶将特定区域的应力薄膜保护起来，再对晶圆进行离子注入工艺，使得特定方向上的应力得以释放，从而能够对晶圆特定方向上的翘曲度进行针对性调整，将晶圆的整体翘曲度控制在合理的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 晶圆翘 曲度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善晶圆翘曲度的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：提供一晶圆，确定以所述晶圆的最大翘曲度所在方向为X坐标方向；步骤二：在所述晶圆表面沉积应力薄膜；步骤三：在所述应力薄膜上覆盖光刻胶，并进行图形化，形成沿X坐标方向的光刻胶条纹，并暴露出光刻胶条纹之间的所述应力薄膜；其中，所述光刻胶条纹包括沿X坐标方向贯通的条纹；步骤四：进行离子注入，以减小沿X坐标方向暴露出的所述应力薄膜的应力，使沿Y坐标方向上的应力得以被释放；然后，去除光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
