[发明专利]包括多层级载体的化合物半导体装置有效
| 申请号： | 201610187295.7 | 申请日： | 2016-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN106024773B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | R·奥特伦巴;K·席斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/31;H01L23/495;H01L23/34 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周家新 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种装置包括：载体，其具有第一层级上的第一载体部分和第二层级上的第二载体部分，第二层级不同于第一层级。该装置还包括：化合物半导体芯片，其设置在第一载体部分之上；和控制半导体芯片，其设置在第二载体部分之上，其中，控制半导体芯片被配置成用于控制所述化合物半导体芯片。封装材料覆盖所述化合物半导体芯片和所述控制半导体芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 多层 载体 化合物 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：载体，其包括第一层级上的第一载体部分和第二层级上的第二载体部分，第二层级在垂直方向上不同于第一层级，第一载体部分和第二载体部分在水平方向上彼此偏错开而使得第二载体部分未覆盖第一载体部分；化合物半导体芯片，其设置在第一载体部分之上；控制半导体芯片，其设置在第二载体部分之上，且被配置成用于控制所述化合物半导体芯片；封装材料，其覆盖所述化合物半导体芯片和所述控制半导体芯片；和导电式联接元件，其将设置在所述控制半导体芯片的背向第二载体部分的主表面上的电接触部直接连接到设置在所述化合物半导体芯片的背向第一载体部分的主表面上的栅极电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技奥地利有限公司，未经英飞凌科技奥地利有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610187295.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
