[发明专利]一种基于激光尾波场和沟道效应的光子辐射源产生方法在审
| 申请号： | 201610187825.8 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN105977785A | 公开（公告）日： | 2016-09-28 |
| 发明（设计）人： | 祝庆军;甘龙飞;赵子甲;马燕云;李佳;刘松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院等离子体物理研究所;中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | H01S4/00 | 分类号： | H01S4/00 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于激光尾波场和沟道效应的光子辐射源产生方法，首先使用激光与激光靶系统相互作用，通过尾波场加速产生带电粒子，然后所产生带电粒子入射晶体靶系统，通过沟道效应产生光子。本发明有效改善了光子辐射源的能量、时间、空间等品质，能够获得能量分布近似高斯、脉冲宽度达到飞秒、前向性良好的光子辐射源。本发明所产生光子辐射源，可用于建设超快强脉冲γ激光源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 激光 尾波场 沟道 效应 光子 辐射源 产生 方法 | ||
【主权项】：
一种基于激光尾波场和沟道效应的光子辐射源产生方法，其特征在于至少包括三个硬件系统：激光器发生器系统(1)、激光靶系统(3)、晶体靶系统(5)；具体实现步骤如下：首先使用激光发生器系统(1)产生激光束(2)轰击激光靶系统(3)，导致激光靶系统(3)产生激光尾波场，激光尾波场加速带电粒子产生高能带电粒子(4)；然后所产生的高能带电粒子(4)轰击晶体靶系统(5)，高能带电粒子(4)被晶体靶系统(5)的晶面或晶轴捕获发生沟道效应，高能带电粒子(4)在沟道效应过程中产生光子(9)；同时，沿着光子(9)传播方向布置一个磁场区(6)，利用磁场将带电粒子(7)偏转到收集器(8)中。
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