[发明专利]一种2-2型BiFeO3-CuFe2O4复合薄膜及其制备方法

摘要

本发明提供了一种2‑2型BiFeO₃‑CuFe₂O₄复合薄膜及其制备方法，先分别配制CuFe₂O₄前驱液和BiFeO₃前驱液；然后在基片上旋涂制备多层CuFe₂O₄薄膜，再在CuFe₂O₄薄膜上旋涂制备多层BiFeO₃薄膜，即得到BiFeO₃‑CuFe₂O₄复合薄膜。本发明采用溶胶凝胶法，制备的薄膜均匀性好，且化学组分精确可控，将BiFeO₃薄膜与强磁性尖晶石结构的CuFe₂O₄薄膜复合，得到的BiFeO₃‑CuFe₂O₄复合薄膜的饱和磁化强度M_s为25.8emu/cm³，剩余磁化强度M_r为17.8emu/cm³；同时其介电损耗频谱出现符合麦克斯韦‑瓦格纳介电弛豫；薄膜的漏电流在正向偏压下存在一个电阻滞后现象。

主权项

1.一种2‑2型BiFeO₃‑CuFe₂O₄复合薄膜，其特征在于：包括复合在一起的上层膜和下层膜，其中上层膜为BiFeO₃晶态膜，下层膜为CuFe₂O₄晶态膜；所述的BiFeO₃晶态膜为扭曲的钙钛矿结构，菱形晶系，空间点群为R3c:H(161)；CuFe₂O₄晶态膜为四方相，尖晶石结构，空间点群为I4₁/amd(141)；其饱和磁化强度M_s为25.8emu/cm³，剩余磁化强度M_r为17.8emu/cm³；在‑200kV/cm的负向电场偏压下，其漏电流密度为3.87×10^‑2A/cm²；正负偏压下漏电流密度曲线不对称，且在正向偏压下存在一个电阻滞后现象。