[发明专利]一种三级跨导放大器

摘要

本发明涉及一种三级跨导放大器设计，其中，由NMOS管M3/M4/M5/M6和PMOS管M1/M2/M7/M8以及尾电流源Iss构成折叠式输入结构和第一级，由NMOS管M9/M10/M11/M12和PMOS管M13/M14构成的第二级，由NMOS管M15和PMOS管M16构成的第三级，由NMOS管M17/M18和PMOS管M19/M20以及电容Cc构成的补偿结构，补偿结构的输入端和跨导放大器的第二级输出端相连，补偿结构的输出端和跨导放大器的输出端相连。跨导放大器的电源为vdd1，补偿结构的电源为vdd2，电容CL表示跨导放大器的负载电容。本发明增益级增益A和电容Cc的乘积，引入一个左半平面零点，不会降低三级跨导放大器传输函数的主极点，保证跨导放大器拥有较大的‑3dB带宽和单位增益带宽。

主权项

1.一种三级跨导放大器，包括折叠式输入结构、第一级输入结构、第二级输入结构和第三极输入结构，其特征在于：还包括连接于第二输入结构输出端与放大器输出端之间的补偿结构，所述补偿结构包括NMOS管M17、NMOS管M18、PMOS管M19、PMOS管M20和补偿电容Cc，所述PMOS管M19的源极、PMOS管M20的源极分别与电源电压Vdd2连接，PMOS管M19的栅极与NMOS管M17的栅极分别与第二输入结构的输出端连接，PMOS管M19的漏极分别与NMOS管M17的漏极、NMOS管M18的栅极、PMOS管M20的栅极连接，PMOS管M20的漏极分别与NMOS管M18的漏极、补偿电容Cc的一端连接，NMOS管M17和源极与NMOS管M18的源极分别接地，所述补偿电容Cc的另一端与第三极输入结构的输出端连接；所述NMOS管M17、NMOS管M18、PMOS管M19和PMOS管M20都工作在饱和区；所述折叠式输入结构包括电流源ISS、PMOS管M1和PMOS管M2，所述PMOS管M1和PMOS管M2的栅极分别作为输入端，PMOS管M1的源极与PMOS管M2的源极分别与电流源ISS的输出端连接，电流源ISS的输入端与电源电压Vdd1连接，PMOS管M1的漏极作为折叠式输入结构的第一输出端与第一级输入结构的第一输入端连接，PMOS管M2的漏极作为折叠式输入结构的第二输出端与第一极输入结构的第二输入端连接；所述第三级输入结构包括PMOS管M16和NMOS管M15，所述PMOS管M16的源极接电源电压Vdd1，所述PMOS管M16的栅极作为第三级输入结构的第一输入端与第一级输入结构的第二输出端连接，PMOS管M16的漏极与NMOS管M15的漏极连接，NMOS管M15的源极接地，NMOS管M15的栅极作为第三级输入结构的第二输入端与第二级输入结构的输出端连接。