[发明专利]一种聚合物先驱体陶瓷微波后处理改性方法

摘要

本发明公开了一种聚合物先驱体陶瓷微波后处理改性方法。该方法包括以下步骤：1)在氮气保护下，将聚硅氮烷先驱体与热固剂混合；2)在真空条件下，将混合物在110～200℃进行热固化；3)在氮气保护下，在管式炉中于1000℃热解4h；4)在氮气保护下，利用微波升温至1000℃，保温30min，冷却，即得。现有技术中，通过常规加热对聚合物先驱体改性，往往需要较高的温度，会导致基体不同程度地结晶。而陶瓷材料的高温热稳定性和电性能，很大程度地依赖于陶瓷的非晶基体，不同程度的结晶化往往导致产品的性能受到影响。由此我们提出利用微波来对PDC进行快低温速改性，使材料在性能有很大提升的同时保持基体的非晶态。

主权项

1.一种聚合物先驱体陶瓷微波后处理改性方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在氮气保护下，将聚硅氮烷先驱体与热固剂混合，得到混合物；所述的聚硅氮烷先驱体具有式1所示结构：式1中，x＝2，y＝8；所述的热固剂为过氧化二异丙苯；聚硅氮烷先驱体与热固剂的质量比为90～95:5～10；2)在真空条件下，将步骤1)所得混合物在110～200℃进行热固化，得到固化物；3)在氮气保护下，将步骤2)所得固化物在管式炉中于1000℃热解4h，得到前驱体陶瓷；4)在氮气保护下，将步骤3)所得前驱体陶瓷利用微波升温至1000℃，保温30min，冷却，即得；所述升温的速率为25～45℃/min。