[发明专利]一种多铁性Bi0.83Pr0.15Sr0.02Fe0.97-xMn0.03CuxO3-CuFe2O4复合膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201610188155.1 | 申请日： | 2016-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN105906221B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 谈国强;乐忠威;晏霞;任慧君;夏傲 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C03C17/34 | 分类号： | C03C17/34 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 岳培华 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种多铁性Bi0.83Pr0.15Sr0.02Fe0.97‑xMn0.03CuxO3‑CuFe2O4复合膜及其制备方法，该复合膜包括上层的Bi0.83Pr0.15Sr0.02Fe0.97‑xMn0.03CuxO3(x＝0.01～0.05)晶态膜和下层的CuFe2O4晶态膜。制备时先分别配制Bi0.83Pr0.15Sr0.02Fe0.97‑xMn0.03CuxO3前驱液和CuFe2O4前驱液；然后在基片上旋涂制备多层CuFe2O4膜，再在CuFe2O4膜上旋涂制备多层Bi0.83Pr0.15Sr0.02Fe0.97‑xMn0.03CuxO3膜，即得到多铁性Bi0.83Pr0.15Sr0.02Fe0.97‑xMn0.03CuxO3‑CuFe2O4复合膜。本发明设备要求简单，制备的薄膜均匀性好，掺杂量易控，提高了薄膜的铁电和铁磁性能，有效降低了薄膜的漏电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多铁性 bi sub 0.83 pr 0.15 sr 0.02 fe 0.97 mn | ||
【主权项】：
1.一种多铁性Bi0.83Pr0.15Sr0.02Fe0.97‑xMn0.03CuxO3‑CuFe2O4复合膜，其特征在于：包括复合在一起的上层膜和下层膜，其中上层膜为Bi0.83Pr0.15Sr0.02Fe0.97‑xMn0.03CuxO3晶态膜，下层膜为CuFe2O4晶态膜，x＝0.01～0.05；所述的Bi0.83Pr0.15Sr0.02Fe0.97‑xMn0.03CuxO3晶态膜的晶型为三方相，空间结构群为R3m:H，晶胞参数为a＝b＝5.5647，c＝13.7472；CuFe2O4晶态膜的晶型为立方相，空间结构群为Fd‑3m:2；在1kHz的测试频率下，该复合膜的介电常数为167～360；当测试频率为1kHz，最大测试电场为910kV/cm时，该复合膜的饱和极化强度为14～120μC/cm2，剩余极化强度为6～104μC/cm2，矫顽场为360～685kV/cm；室温下，该复合膜的饱和磁化值为35.5～40.3emu/cm3，剩余磁化值为18.4～24.9emu/cm3。
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