[发明专利]多灵敏区单粒子效应预计的方法和系统有效
| 申请号： | 201610188384.3 | 申请日： | 2016-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN105866653B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 张战刚;雷志锋;恩云飞;黄云 | 申请（专利权）人： | 工业和信息化部电子第五研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/28 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 王程 |
| 地址： | 510610 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多灵敏区单粒子效应预计的方法和系统，其中，多灵敏区单粒子效应预计的方法，包括以下步骤：确定半导体器件各灵敏区的临界电荷值，获取触发半导体器件一次单粒子效应所需的灵敏区的数量；在有效灵敏区的数量等于所需的灵敏区的数量时，确定在半导体器件中触发了一次单粒子效应；有效灵敏区为收集的电荷量大于临界电荷值的灵敏区。本发明提供了单粒子效应的触发需多个灵敏区的收集电荷均大于其临界电荷的模型，可以从根本上解决传统RPP/IRPP模型无法计算多位翻转的问题，为TMR、DICE、ADE等加固电路提供单粒子效应预计模型，实现抗辐射加固器件在轨单粒子效应的准确预计。 | ||
| 搜索关键词： | 灵敏区 单粒子效应 半导体器件 临界电荷 触发 电路提供 电荷 电荷量 抗辐射 翻转 多位 | ||
【主权项】：
1.一种多灵敏区单粒子效应预计的方法，其特征在于，包括以下步骤：确定半导体器件各灵敏区的临界电荷值；获取触发所述半导体器件一次单粒子效应所需的灵敏区的数量；在有效灵敏区的数量等于所述所需的灵敏区的数量时，确定在所述半导体器件中触发了一次单粒子效应；所述有效灵敏区为收集的电荷量大于所述临界电荷值的灵敏区。
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