[发明专利]使用纵横比俘获生长的硅上激光器结构有效
| 申请号： | 201610188751.X | 申请日： | 2016-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN106025799B | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 郑政玮;E·里欧班端;李宁;D·K·萨达纳;徐崑庭 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅;张宁 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种使用纵横比俘获(ART)生长在硅上形成激光器的方法。方法可以包括：在衬底上形成第一绝缘体层；在第一绝缘体层中刻蚀沟槽从而暴露衬底的顶表面；使用ART生长在沟槽中形成缓冲层；在缓冲层上形成激光器，激光器包括至少一个活性区域以及顶部包覆层；以及形成在顶部包覆层上的顶部接触以及在衬底上的底部接触。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 纵横 俘获 生长 激光器 结构 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体上形成激光器的方法，包括：在衬底上形成第一绝缘体层；在所述第一绝缘体层中刻蚀沟槽，从而暴露所述衬底的顶表面；使用纵横比俘获ART生长在所述沟槽中形成缓冲层；在所述缓冲层上形成激光器，所述激光器包括至少一个活性区域以及顶部包覆层，其中活性区域与缓冲层具有相同的晶格结构；以及在所述顶部包覆层上形成顶部接触以及在所述衬底上形成底部接触。
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