[发明专利]太阳能电池栅线电极图形的压印加工方法有效
| 申请号： | 201610189088.5 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN105742380B | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 朱学林;季益群 | 申请（专利权）人： | 江苏欧达丰新能源科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池栅线电极图形的压印加工方法，本发明利用滚轮纳米压印技术，突破丝网印刷技术的线宽和厚度限制，获得更细、更薄的正面电极栅线。纳米压印出来的凹槽图形结构可以填充银浆，并烧结成形。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 电极 图形 压印 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池栅线电极图形的压印加工方法，其特征在于：包括以下步骤：1）干膜铺设：在太阳能电池表面铺设干膜，采用滚压工艺，干膜材料为热塑性感光或水溶性薄膜材料，薄膜厚度20~80微米，滚压时的温度范围60~120摄氏度，压力10KPa~200kPa，滚压时硅片相对进给速度：5~600毫米/秒；2）滚轮压印电极图形：采用滚轮压印时的温度范围60~120摄氏度，压力0.5MPa~10MPa，滚压时硅片相对进给速度：5~600毫米/秒；3）等离子体去除残留层：频率选用微波段，或者射频段，气体采用氧气O2或者四氟化碳CF4，气体流量5~200sccm，功率20~300W；4）滚轮压印银浆：采用滚轮压印时的压力0.5MPa~10MPa，滚压时硅片相对进给速度：5~600毫米/秒；5）溶解去除干膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏欧达丰新能源科技发展有限公司，未经江苏欧达丰新能源科技发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610189088.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：背结N型晶体硅太阳能电池及其制备方法和组件、系统
- 下一篇：鱼缸过滤净水装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
