[发明专利]一种CMOS功率放大器匹配电路有效
| 申请号： | 201610189350.6 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN105656436B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 张科峰;任达明 | 申请（专利权）人： | 武汉芯泰科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/56 | 分类号： | H03F1/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖开发区关东工业园东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS功率放大器匹配电路，所述CMOS功率放大器匹配电路包括电路板、设置于电路板上的片外匹配网络以及设置于电路板上的功率放大集成芯片；所述功率放大集成芯片包括高频功率放大器、低频功率放大器以及片内匹配网络，所述高频功率放大器与所述片内匹配网络连接，所述低频功率放大器与所述片外匹配网络连接。本发明的CMOS功率放大器匹配电路可结合片内匹配网络与片外匹配网络的优点，将PA分为高频部分与低频部分，其中高频部分，利用片内匹配网络实现，减小了PCB设计难度；低频部分利用片外匹配网络，达到比较好的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 匹配网络 匹配电路 电路板 低频功率放大器 高频功率放大器 功率放大集成 芯片 结合片 减小 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS功率放大器匹配电路，其特征在于，所述CMOS功率放大器匹配电路包括电路板、设置于电路板上的片外匹配网络以及设置于电路板上的功率放大集成芯片；所述功率放大集成芯片包括高频功率放大器、低频功率放大器以及片内匹配网络，所述高频功率放大器与所述片内匹配网络连接，所述低频功率放大器与所述片外匹配网络连接；所述片内匹配网络包括片内输入匹配网络和片内输出匹配网络；所述片内输入匹配网络包括第一片内输入阻抗和第一片内输出阻抗，该第一片内输入阻抗包括第一输入信号源以及与所述第一输入信号源并联的第一电容、第二电容、第一电感以及第一负载阻抗，以及与所述输入信号源串联的第二电感；所述第一片内输出阻抗包括第二负载阻抗；所述片内输出匹配网络包括第二片内输入阻抗和第二片内输出阻抗，所述第二片内输入阻抗包括第二输入信号源以及与所述第二输入信号源并联的第三电感和串联第三电容，以及与所述第二输入信号源并联的第三负载阻抗，所述第二片内输出阻抗包括第一输出阻抗；所述片外匹配网络包括片外输入匹配网络和片外输出匹配网络；所述片外输入匹配网络包括第一片外输入阻抗和第一片外输出阻抗；所述第一片外输入阻抗包括第一阻抗，所述第一阻抗与第二信号源连接，第一片外输出阻抗包括第二阻抗，与所述第二阻抗并联的第四负载阻抗；所述片外输出匹配网络包括第二片外输入阻抗和第二片外输出阻抗；第二片外输入阻抗包括第三输入信号源以及与所述第三输入信号源连接的第三阻抗；第二片外输出阻抗包括第五负载阻抗，与所述第五负载阻抗串连连接的两个电容，以及分别与两个电容并联的两个电感。
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