[发明专利]热模压结合化学气相渗透CVI制备Diamond/SiC复合材料的方法

摘要

本发明涉及一种热模压结合化学气相渗透CVI制备Diamond/SiC复合材料的方法，金刚石粉料的颗粒级配采用三级级配的方法，即采用三种粒径的金刚石粉料，分别为大粒径的金刚石粉料、中粒径的金刚石粉料和小粒径的金刚石粉料。这样在金刚石预制体的成型过程中，中粒径的金刚石颗粒会填充大粒径的金刚石颗粒空隙之间，小粒径金刚石颗粒再进一步填充在大粒径金刚石和中粒径金刚石颗粒之间的空隙。本方法可有效解决大粒径金刚石预制体成型困难的问题，而且可以有效提高复合材料的致密度以及金刚石的体积含量，从而有效提高复合材料的热导率以及力学性能。不仅如此，该方法的生产工艺简单、操作方便，适用于工业化生产。

主权项

一种热模压结合化学气相渗透CVI制备Diamond/SiC复合材料的方法，其特征在于步骤如下：步骤1：将金刚石粉料和聚乙烯醇缩丁醛PVB按照配比球磨混合均匀；所述金刚石粉料的粒径为不同的三种；所述金刚石粉量与聚乙烯醇缩丁醛PVB的质量比为m_diamond∶m_PVB＝10～15∶1；步骤2：将钢制模具的内表面涂刷脱模剂，然后将混合好的粉料平铺倒入模具内；再将模具加热温度为80‑350℃，加热时间为0.5‑3h后，对模具施加压力为5‑40Mpa；待模具冷却后，脱模制得金刚石预制体；步骤3：将金刚石预制体用石墨夹具固定后，放入化学气相渗透炉CVI炉进行化学气相渗透制备Diamond/SiC，使得复合材料的密度达到约3.1g/cm³。