[发明专利]可编程自旋逻辑器件和包括其的电子设备有效
| 申请号： | 201610190767.4 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN105895799B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 韩秀峰;张轩;万蔡华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/10;H03K19/20 |
| 代理公司： | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人： | 黄小临;冯玉清 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及可编程自旋逻辑器件和包括其的电子设备。一种自旋逻辑器件包括：SHE偏置层，由具有自旋霍尔效应的反铁磁材料形成；磁性隧道结，包括：自由磁层，设置在SHE偏置层上并与之接触；势垒层，设置在自由磁层上；以及参考磁层，设置在势垒层上；以及电流布线，连接到磁性隧道结的参考磁层一侧，使得磁性隧道结设置在SHE偏置层与电流布线之间，其中SHE偏置层向自由磁层施加沿第一方向的偏置磁场，并且SHE偏置层接收第一、第二和第三面内电流，第一和第二面内电流的方向与第一方向平行，第三面内电流用于控制自旋逻辑器件的操作模式，SHE偏置层和电流布线还用于施加流过磁性隧道结的读取电流。 | ||
| 搜索关键词： | 可编程 自旋 逻辑 器件 包括 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种自旋逻辑器件，包括：自旋霍尔效应SHE偏置层，由具有自旋霍尔效应的反铁磁材料形成；磁性隧道结，包括：自由磁层，设置在所述SHE偏置层上并且与之直接接触；势垒层，设置在所述自由磁层上；以及参考磁层，设置在所述势垒层上；以及电流布线，连接到所述磁性隧道结的参考磁层一侧，使得所述磁性隧道结设置在所述SHE偏置层与所述电流布线之间，其中，所述SHE偏置层向所述自由磁层施加沿第一方向的偏置磁场，并且所述SHE偏置层接收第一、第二和第三面内电流，所述第一和第二面内电流的方向与所述第一方向平行，所述第三面内电流用于控制所述自旋逻辑器件的操作模式，且其中，所述SHE偏置层和所述电流布线还用于施加流过所述磁性隧道结的读取电流。
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