[发明专利]一种快速连续制备大晶畴石墨烯薄膜的方法有效
| 申请号： | 201610191702.1 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN105624778B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 张智宏;徐小志;俞大鹏;王恩哥;刘开辉 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/02 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 张肖琪 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种快速连续制备大晶畴石墨烯薄膜的方法，涉及大晶畴石墨烯薄膜的制备方法。其主要特征为用金属箔片作为催化剂及生长基底，用氧化物为衬底使金属箔片穿过氧化物衬底夹层，然后利用常压化学气相沉积法，通过两端的转动装置，快速连续获得大晶畴高质量石墨烯薄膜。本发明提出的方法，解决了CVD方法制备的石墨烯薄膜晶畴尺寸小、电学性能低、基底表面处理工序复杂且生长周期长等技术问题，通过非常简单的方法，实现了快速连续制备大晶畴石墨烯薄膜样品。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯薄膜 晶畴 连续制备 金属箔片 氧化物 衬底 制备 常压化学气相沉积 基底表面处理 电学性能 生长周期 转动装置 生长基 夹层 催化剂 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种快速连续制备大晶畴石墨烯薄膜的方法，其特征在于，将金属箔片置于氧化物衬底的夹层中，并在金属箔片表面生长出高质量大晶畴石墨烯薄膜；所述氧化物衬底的数量为2个以上，金属箔片的数量为1个以上；所述氧化物衬底的夹层之间的空隙高度为1‑100μm；所述生长过程在化学气相沉积系统中进行，在化学气相沉积系统两端的第一低温区和第二低温区设置转动装置；所述转动装置包括位于第一低温区的1个以上第一转轮和位于第二低温区的1个以上第二转轮；第一低温区和第二低温区的温度为100－300℃，高温区的温度为800－1200℃，石墨烯的生长在高温区完成，高温区位于第一低温区和第二低温区之间。
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