[发明专利]一种对硫化氢进行常温气敏检测的半导体及其制备、使用

摘要

本发明公开了一种能对硫化氢进行常温气敏检测的半导体，包括MEMS基底和附在MEMS基底表面的氧化铟多孔阵列敏感薄膜，氧化铟多孔阵列敏感薄膜中掺杂有金纳米颗粒，氧化铟多孔阵列敏感薄膜表面修饰有碳包覆金纳米颗粒；氧化铟多孔阵列敏感薄膜的层数为1～30层，孔直径为1～3000nm，总厚度为5～10000nm；金纳米颗粒在氧化铟多孔阵列敏感薄膜中的掺杂密度为0.1～200μg/cm²；碳包覆金纳米颗粒在氧化铟多孔阵列敏感薄膜的修饰密度为0.1～100μg/cm²。本发明还公开了上述能对硫化氢进行常温气敏检测的半导体的制备方法。本发明还公开了上述能对硫化氢进行常温气敏检测的半导体的使用方法。

主权项

1.一种能对硫化氢进行常温气敏检测的半导体，其特征在于，包括MEMS基底和附在MEMS基底表面的氧化铟多孔阵列敏感薄膜，氧化铟多孔阵列敏感薄膜中掺杂有金纳米颗粒，氧化铟多孔阵列敏感薄膜表面修饰有碳包覆金纳米颗粒；氧化铟多孔阵列敏感薄膜的层数为1～30层，孔直径为1～3000nm，总厚度为5～10000nm；金纳米颗粒在氧化铟多孔阵列敏感薄膜中的掺杂密度为0.1～200μg/cm²，金纳米颗粒的粒径为1～200nm；碳包覆金纳米颗粒在氧化铟多孔阵列敏感薄膜的修饰密度为0.1～100μg/cm²，碳包覆金纳米颗粒的粒径为1～200nm；每层氧化铟多孔阵列敏感薄膜为六方排列有序的多孔薄膜。