[发明专利]薄膜电容器有效
申请号: | 201610192511.7 | 申请日: | 2016-03-30 |
公开(公告)号: | CN106024387B | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 江原慎司;小野寺郁人;若田英子;小山内胜则;谷口真理 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01G4/33 | 分类号: | H01G4/33;H01G4/012;H01G4/008 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;沈娟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明所涉及的薄膜电容器具有特征:下部电极(4)能够具有凹凸结构,上部电极(6)也能够具有凹凸结构,上部电极(6)的向下部电极侧突出的凸部位于下部电极(4)的凸部之间的间隙,下部电极(4)含有作为主成分的Cu,基板(1)和应力调整层(2)以及下部电极(4)的杨氏模量具有特定的关系,另外,位于凸部(4b)内部的曲率半径R1的角部具有特定的关系。 | ||
搜索关键词: | 下部电极 薄膜电容器 凹凸结构 上部电极 凸部 应力调整层 杨氏模量 凸部位 基板 角部 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜电容器,其特征在于:具备:基板,被形成于所述基板主表面上的应力调整层,被形成于所述应力调整层上的下部电极,覆盖所述下部电极的电介质薄膜,以及被形成于所述电介质薄膜上的上部电极;所述下部电极的沿着所述基板厚度方向的纵截面具有凹凸结构,所述上部电极的沿着所述基板厚度方向的纵截面具有凹凸结构,所述上部电极的向所述下部电极侧突出的凸部位于所述下部电极的凸部之间的间隙,所述下部电极含有作为主成分的Cu,所述基板的杨氏模量ESS 、所述应力调整层的杨氏模量ESC 以及所述下部电极的杨氏模量ELE 满足以下关系式:ELE <ESC ;ESS <ESC ,所述下部电极具备:与所述基板主表面相平行地延伸的共通电极部分,以及从所述共通电极部分开始以在与所述基板相分开的方向上进行突出的方式延伸的多个所述下部电极的凸部;该薄膜电容器具备:覆盖所述上部电极的保护膜,被形成于所述应力调整层上的虚设电极,以及在所述下部电极的所述共通电极部分上形成的下部接触电极;所述电介质薄膜、所述上部电极以及第1连接电极位于所述虚设电极上,接触于所述共通电极部分的所述下部接触电极以及第2连接电极通过被设置于所述电介质薄膜的开口而位于所述下部电极的所述共通电极部分上,所述虚设电极与所述下部电极的所述共通电极部分的厚度相同,所述第1连接电极位于被设置于所述保护膜的第1接触孔内,所述第2连接电极位于被设置于所述保护膜的第2接触孔内。
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