[发明专利]用于SiGe填充材料的风筝形腔在审
| 申请号： | 201610192733.9 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN105633130A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 周建华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/04;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体工艺与器件。更具体地，本发明的实施例提供一种半导体器件，该半导体器件包括风筝形腔，该形状的腔填充有硅和锗材料。还提供了其他实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 sige 填充 材料 风筝 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括硅材料；栅极结构，所述栅极结构覆盖所述衬底的第一表面区域；腔区域，所述腔区域定位于所述衬底内部并且邻近所述衬底的所述第一表面区域，所述腔区域包括尖端区域和底部区域，所述尖端区域包括在所述第一表面区域的一部分正下方延伸的第一有角侧壁，所述第一有角侧壁由(1 1 1)的晶面来表征，所述底部区域包括直接邻接所述腔区域的底表面的第二有角侧壁；以及填充材料，至少部分地位于所述腔区域内，所述填充材料包括硅和锗材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610192733.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：圆柱滚子轴承用的组合式保持架
- 下一篇：一种无装滚子缺口的调心滚子轴承
- 同类专利
- 专利分类
