[发明专利]通用四端口在片高频去嵌入方法

摘要

本发明提出了一种通用四端口在片高频去嵌入方法。所述方法包括针对每个去嵌入陪测结构建立考虑了各去嵌入陪测结构高频特性分布本质的模型；并利用所述模型通过计算或者仿真得到所述N个去嵌入陪测结构的本征Y参数导纳矩阵；将去嵌入所需要剥离的寄生参量四端口网络的相关导纳矩阵元素以及所述计算或者仿真所基于的模型的模型参数作为未知数求解所述去嵌入陪测结构的相关测试以及计算或者仿真数据所满足的方程组。本发明充分考虑了实际所需去嵌入陪测结构的非理想本质，对于必需的去嵌入陪测结构不再像现有技术那样做集总化理想假设，可以说继承并进一步发扬了通用四端口高频去嵌入现有技术的普适通用性优点。

主权项

1.一种通用四端口在片高频去嵌入方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：1.1与有待去嵌入的被测器件DUT一同制备N个在片去嵌入陪测结构；1.2测试得到所述被测器件DUT的整体Y参数导纳矩阵YM以及每个所述去嵌入陪测结构的整体Y参数导纳矩阵YMj(j＝1，2，…，N)，1.3针对每个去嵌入陪测结构建立考虑了各去嵌入陪测结构高频特性分布本质的模型；1.4利用所述各模型通过计算或者仿真得到所述N个去嵌入陪测结构的本征Y参数导纳矩阵YAj(p1,p2,…pM)(j＝1，2，…，N)；其中p1,p2,…,pM为M个所述计算或者仿真所基于的模型的模型参数，且保证4N-16≥M；1.5将去嵌入所需要剥离的寄生参量四端口网络的导纳矩阵Y的四个子矩阵Yee、Yii、Yei和Yie的元素以及所述模型参数p1,p2,…,pM作为未知数求解方程组YMj＝Yee-Yei(YAj(p1,p2,…pM)+Yii)-1Yie(j＝1，2，…，N)；其中如下式所示Yee、Yii、Yei和Yie作为四个子矩阵构成了所述寄生参量四端口网络的导纳矩阵Y；1.6将步骤1.5中解得的Yee、Yii、Yei和Yie以及步骤1.2中测试得到的所述被测器件DUT的整体Y参数导纳矩阵YM代入YA＝-Yii-Yie(YM-Yee)-1Yei式中，计算得到所述被测器件DUT的本征Y参数导纳矩阵YA。