[发明专利]一种双层部分SOI LIGBT器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610193224.8 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN105633140B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 郭厚东;成建兵;陈旭东;滕国兵 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L23/367;H01L29/10 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 朱小兵;朱桢荣 |
| 地址： | 210023 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种双层部分SOI LIGBT器件，包括硅衬底，硅衬底上从左到右依次设有第一埋氧层和N埋层，N埋层的上表面高于第一埋氧层的上表面，第一埋氧层上设有P埋层，N埋层上设有第二埋氧层，P埋层的上表面和第二埋氧层的上表面在同一高度，P埋层和第二埋氧层上设有N型漂移区；本发明还公开了一种双层部分SOI LIGBT器件的制造方法，将常规SOI LIGBT的氧化层分成两层，并且在夹层之间使用反向PN结隔离。这种新型的分段隔离的结构一方面在保证器件良好的隔离衬底漏电流的情况下，提高了散热能力，降低了工作温度，同时也提高了击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 埋氧层 上表面 硅衬底 分段隔离 击穿电压 散热能力 隔离衬 漏电流 氧化层 夹层 两层 制造 保证 | ||
【主权项】：
一种双层部分SOI LIGBT器件，其特征在于，包括硅衬底，硅衬底上从左到右依次设有第一埋氧层和N埋层，N埋层的上表面高于第一埋氧层的上表面，第一埋氧层上设有P埋层，N埋层上设有第二埋氧层，P埋层的上表面和第二埋氧层的上表面在同一高度，P埋层和第二埋氧层上设有N型漂移区；N型漂移区中的左侧设有P体区，P体区中从左到右依次设有阴极重掺杂P+区、阴极重掺杂N+区，N型漂移区中的右侧设有阳极P+区、轻掺杂N缓冲区和阳极重掺杂N+区，轻掺杂N缓冲区位于阳极P+区的下方，阳极重掺杂N+区位于阳极P+区和轻掺杂N缓冲区的右侧且与第二埋氧层的右侧接触；阴极重掺杂P+区的上表面和阴极重掺杂N+区的部分上表面设有阴极，阴极重掺杂N+区的部分上表面、P体区的上表面和N型漂移区的上表面部分区域横跨设有栅极，阳极P+区的上表面部分区域设有阳极，栅极与阴极之间设有氧化层，栅极的下表面也设有氧化层，栅极与阳极之间设有氧化层；所述N埋层为N型导电类型的埋层，P埋层为P型导电类型的埋层，P体区为P型导电类型的体区，轻掺杂N缓冲区为N型导电类型的轻掺杂的缓冲区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京邮电大学，未经南京邮电大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610193224.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：控释制剂和相关方法
- 下一篇：单一负信号触发的双向晶闸管芯片及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
