[发明专利]一种改善光刻胶封装工艺的方法及光刻机系统

摘要

本发明提供的一种改善光刻胶封装工艺的方法及光刻机系统，在得到整个光刻机系统的波像差分布数据的情况下，结合掩膜版的图形数据，仿真得到照明光透过掩膜版之后的空间光强分布图，根据该空间光强分布图计算分析透过掩膜版之后的曝光场中需要修整光强分布的部位和数值，然后在曝光光路中加入空间光调制器，对曝光场内的光强分布进行修改调整，尤其是对较易出现厚胶缺角部位的光强分布进行修改调整，从而保持透过掩膜版之后形成的低能量光强的部位不会出现光强过大的情况，解决了厚胶缺角的问题。由于使用了空间光调制器可以修正光强分布，因此通过修正光强，可光刻成像的离焦范围也越大，从而提高了工艺可用焦深。

主权项

1.一种改善光刻胶封装工艺的光刻机系统，其特征在于，包括一照明系统，用于提供照明光；一掩膜台，用于承载掩膜版；一投影物镜，用于收集透过所述掩膜版的照明光；一工作台，用于承载基板，在扫描曝光过程中，所述照明系统提供的照明光，照射到所述掩膜版上，并将设置在所述掩膜版上的图案，经过所述投影物镜，转印到所述基板上；其特征在于，在所述掩膜版与所述照明系统之间设置空间光调制器，用于根据所述光刻机系统的投影成像的波像差数据分布得到需要修整光强分布的部位和数值，改变所述照明光透过所述掩膜版时的光强透过率。