[发明专利]具有沟道截断环的半导体器件及生产其的方法有效
| 申请号： | 201610194275.2 | 申请日： | 2016-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106024857B | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | E.法尔克;F.D.普菲尔施;H-J.舒尔策;S.福斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L23/58;H01L29/78;H01L29/739;H01L21/331;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;张涛 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有沟道截断环的半导体器件及生产其的方法。一种垂直半导体器件（1）包括：具有前表面（11）和背表面（12）的衬底（2），位于所述衬底（2）中的有源区（AA），其具有掺杂有第一掺杂剂类型的漂移区域（22），在横向上围绕所述有源区（AA）的边缘终端区域（ER），被提供在所述前表面处并位于所述边缘终端区域（ER）中的沟道截断环端子（40），以及位于所述沟道截断环端子（40）朝向所述有源区（AA）的一侧上并被提供成与所述沟道截断环端子（40）相邻的第一抑制沟槽（50）。此外，提供了一种用于这种半导体器件的生产方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟道 截断 半导体器件 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直半导体器件（1），包括：‑ 具有前表面（11）和背表面（12）的衬底（2），‑ 位于所述衬底（2）中的有源区（AA），其具有掺杂了第一掺杂剂类型的漂移区域（22），‑ 在横向上围绕所述有源区（AA）的边缘终端区域（ER），‑ 被提供在所述前表面上并位于所述边缘终端区域（ER）中的沟道截断环端子（40），‑ 位于所述沟道截断环端子（40）朝向所述有源区（AA）的一侧上并被提供成与所述沟道截断环端子（40）相邻的第一抑制沟槽（50）。
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