[发明专利]一种通用型单粒子多瞬态脉冲分布测量方法

摘要

本发明公开了一种通用型单粒子多瞬态脉冲分布测量方法，包括以下步骤：第一步，构建产生SEMT的目标电路，用于产生单粒子瞬态SET或单粒子多瞬态SEMT；第二步，构建SEMT捕获电路；第三步，将目标电路和SEMT捕获电路连接成测试电路；第四步，构造测试芯片并生产出测试芯片；第五步，进行辐射实验，在辐射环境中在线测量SEMT脉冲分布。本发明中SEMT捕获电路相对于现有SET捕获电路来说，不仅将其中的触发器链进行了加固，能准确地获得反相器单元SEMT脉冲分布信息，且能准确地获得标准单元库中其他单元SEMT脉冲分布信息，避免了单粒子翻转/单粒子多位翻转造成的测量误差，而且首次采用了N个捕获电路同时进行捕获的方式，提升了测量效率。

主权项

1.一种通用型单粒子多瞬态脉冲分布测量方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，构建产生SEMT的目标电路，用于产生单粒子瞬态SET或单粒子多瞬态SEMT，包括以下步骤：1.1根据测量目标，从标准单元库中选择M1个同类标准单元，M1≥1，M1为整数；1.2将M1个所选择的标准单元串成M1级的单元链，并在版图设计中将该单元链中各单元纵向摆放成纵向长条形状；1.3在版图上，将该单元链复制N-1份，并将N个单元链在版图中等间距纵向并列放置，N≥2，N为整数；1.4将N个单元链的输入各自连接到标准单元库中的逻辑恒0单元或逻辑恒1单元的输出端；第二步，构建SEMT捕获电路，包括以下步骤：2.1构造N条M2级的反相器链和N条M3级的D触发器链，M2的选择依据所设计测量SEMT的量程来确定，M3为正整数，M2是M3的整数倍；2.2对N条触发器链中各触发器运用三模冗余加固技术进行单粒子翻转加固；2.3将N条反相器链中靠近中点的任意反相器输出端设定为自触发器节点，并构造N个自触发器电路；2.4将N个自触发器电路的复位信号直接连接在一起；第三步，将目标电路和SEMT捕获电路连接成测试电路，流程如下：通过将N条M1级的单元链的输出端连接N个捕获电路中对应的M2级反相器链的输入端上，将目标电路和SEMT捕获电路连接成测量电路；第四步，构造测试芯片并生产出测试芯片；第五步，进行辐射实验，在辐射环境中在线测量SEMT脉冲分布，流程如下：5.1将含目标电路和SEMT捕获电路的测试芯片置于辐射环境中，辐射环境可以为真实的辐射环境或者实验室辐射环境；5.2判断辐射注射量是否达到设定值，若实验过程中辐射注入量达到所设定的值时，停止在线测量，并对所采集的SET或SEMT信息进行保存，辐射实验结束；否则，进入步骤5.3；5.3当粒子轰击到目标电路时，如果恰好穿过某个或某几个晶体管的敏感区，这个或这些晶体管可能产生SET或SEMT；5.4目标电路产生的SET或SEMT沿着单元链向前传播，传到单元链末端时开始在SEMT捕获电路中对应的反相器链中传播；5.5当SET或SEMT传到自触发器节点时，触发自触发器电路将反相器上传播的SET或SEMT锁存到对应的捕获电路中触发器链中，SEMT捕获电路中触发器链保持其数据不变，并向可通过编程与测试芯片进行通信的外部测试平台发出捕获完成信号，等待外部测试平台复位；5.6外部的测试平台根据捕获完成信号将各SEMT脉冲读走，并发送给计算机，然后向测试芯片中的SEMT捕获电路发送复位信号；5.7SEMT捕获电路从外部测试平台收到复位信号后，重新恢复到可捕获SEMT的状态，转步骤5.3。