[发明专利]一种高温自补偿多层复合薄膜应变计及其制备方法有效
| 申请号： | 201610194927.2 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN105755438B | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 张丛春;王岩磊;丁桂甫;段力;杨申勇;刘哲 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/46;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/16;C23C14/10;C23C14/04;G01B7/16 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 徐红银;郭国中 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种高温自补偿多层复合薄膜应变计及其制备方法，所述应变计包括高温合金构件基底、氧化铝绝缘层、第一TaN应变层、PdCr应变层、第二TaN应变层、氧化铝或氧化硅保护层和Pt电极。以高温合金构件为基底，在基底上双离子束溅射沉积氧化铝绝缘薄膜，在绝缘薄膜上射频磁控溅射沉积TaN和PdCr自补偿应变层，在应变层上双离子束溅射氧化铝或氧化硅保护层。本发明适用于在构件工作过程中的实时测量；采用TaN和PdCr合金应变层，克服了温度变化对构件应变测量的影响，使高温测量精度大大提高；采用离子束溅射氧化铝或氧化硅保护层结构致密、结合力好，对功能结构起到了非常好的保护作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高温 补偿 多层 复合 薄膜 应变 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高温自补偿多层复合薄膜应变计，其特征在于，所述应变计包括高温合金构件基底(1)、氧化铝绝缘层(2)、第一TaN应变层(3)、PdCr应变层(4)、第二TaN应变层(5)、氧化铝或氧化硅保护层(6)和Pt电极(7)，其中：氧化铝绝缘层(2)沉积于高温合金构件基底(1)上；第一TaN应变层(3)沉积于氧化铝绝缘层(2)上；PdCr应变层(4)沉积于第一TaN应变层(3)上；第二TaN应变层(5)沉积于PdCr应变层(4)上；氧化铝或氧化硅保护层(6)覆盖于第二TaN应变层(5)之上；Pt电极(7)沉积于氧化铝绝缘层(2)上并以侧壁同时与第一TaN应变层(3)、PdCr应变层(4)、第二TaN应变层(5)和氧化铝或氧化硅保护层(6)相连，同时Pt电极(7)的上表面暴露于氧化铝或氧化硅保护层(6)之外用于引线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610194927.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种凸轮轴磷化工艺
- 下一篇：一种矿山用大型耐磨铸钢衬板的耐磨处理工艺
- 同类专利
- 专利分类
