[发明专利]一种DRAM刷新控制器及多通道DRAM同步刷新方法有效
| 申请号： | 201610194968.1 | 申请日： | 2016-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN105810235B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 陈胜刚;刘宗林;刘胜;雷元武;曾思;王耀华;万江华;陈海燕;陈小文 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 周长清 |
| 地址： | 410073 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种DRAM刷新控制器及多通道DRAM同步刷新方法，该控制器包括：控制寄存器，包括刷新周期寄存器R1和周期更新标志寄存器R0；刷新周期寄存器R1用于保存用户设置的刷新命令的发送周期；更新标志寄存器R0用于控制将刷新周期寄存器R1中的值更新到刷新控制状态机；刷新控制状态机，包含刷新计数器C0和状态机FSM；状态机FSM根据刷新计数器C0和系统数据通路的状态，控制向DIMM存储器发送的刷新命令；刷新计数器C0记录的刷新周期值是在更新标志寄存器R0为1的时钟周期所采样的刷新周期寄存器R1的值。该方法是基于上述控制器的同步刷新方法。本发明具有结构简单、成本低廉、易实现和推广、可极大降低并行程序的同步数据访问开销等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dram 刷新 控制器 通道 同步 方法 | ||
【主权项】：
1.一种DRAM刷新控制器，其特征在于，包括：控制寄存器，包括刷新周期寄存器R1和周期更新标志寄存器R0；所述刷新周期寄存器R1用于保存用户设置的刷新命令的发送周期；更新标志寄存器R0用于控制将刷新周期寄存器R1中的值更新到刷新控制状态机；刷新控制状态机，包含刷新计数器C0和状态机FSM；所述刷新计数器从0自增计数到刷新周期值，然后再重头开始计数；所述状态机FSM根据刷新计数器C0和系统数据通路的状态，控制向DIMM存储器发送的刷新命令；所述刷新计数器C0记录的刷新周期值是在更新标志寄存器R0为1的时钟周期所采样的刷新周期寄存器R1的值；基于上述DRAM刷新控制器实现多通道DRAM同步刷新时，包括：系统初始化；对DDR通道控制器进行配置，并完成相应DIMM存储器和应用程序的初始化；关闭刷新；关闭DDR通道控制器的刷新功能的方法向刷新周期寄存器R1中写入0，并向更新标志寄存器R0写入“1”，此时刷新计数器C0将重新采用刷新周期；新的刷新周期为0，将使得刷新状态机FSM一直处于空闲状态，不再向DIMM发出刷新命令；开启刷新；同步开启所有DDR通道控制器的刷新功能；正常执行阶段；所有DIMM的刷新周期已经处于同步状态，进入多核处理器的正常计算过程。
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