[发明专利]用于预测芯片高温操作寿命的方法及装置有效
| 申请号： | 201610196265.2 | 申请日： | 2016-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN107293501B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 简维廷;朱月芹;宋永梁;赵永 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于预测芯片高温操作寿命的方法及装置。所述方法包括：对芯片内影响芯片的高温操作寿命的器件进行偏压温度不稳定性测试，并对芯片进行高温操作寿命测试；基于偏压温度不稳定性测试和高温操作寿命测试的测试结果建立器件的偏压温度不稳定性与芯片的高温操作寿命之间的关系；对随后批次芯片中的器件实施晶圆级偏压温度不稳定性测试；以及基于晶圆级偏压温度不稳定性测试的测试结果和关系预测随后批次芯片的高温操作寿命。本发明所提供的用于预测芯片高温操作寿命的方法及装置能够在高温操作寿命测试结果可用之前及早对器件的高温操作寿命进行预测，以及时反馈给项目团队用于工艺的改进，节省大量的测试时间和精力。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 预测 芯片 高温 操作 寿命 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于预测芯片高温操作寿命的方法，其特征在于，所述方法包括：/n对芯片内影响所述芯片的高温操作寿命的器件进行偏压温度不稳定性测试，并对所述芯片进行高温操作寿命测试；/n基于所述偏压温度不稳定性测试和所述高温操作寿命测试的测试结果建立所述器件的偏压温度不稳定性与所述芯片的高温操作寿命之间的关系；/n对随后批次芯片中的器件实施晶圆级偏压温度不稳定性测试；以及/n基于所述晶圆级偏压温度不稳定性测试的测试结果和所述关系预测所述随后批次芯片的高温操作寿命。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
