[发明专利]包括场效应晶体管的半导体器件有效
| 申请号： | 201610197247.6 | 申请日： | 2016-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106057891B | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 金东宇;李承勋;金善政;李炫姃;具本荣 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：缓冲层，在基底上，缓冲层具有与基底的晶格常数不同的晶格常数；鳍状结构，从缓冲层向上突出；栅电极，横跨鳍状结构之上；包覆层，在鳍状结构的侧面并覆盖鳍状结构的顶表面和侧壁；以及界面层，在包覆层和鳍状结构之间，界面层包括与缓冲层相同的元素。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 场效应 晶体管 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，所述半导体器件包括：缓冲层，在基底上，所述缓冲层具有与所述基底的晶格常数不同的晶格常数；鳍状结构，从所述缓冲层向上突出；栅电极，横跨所述鳍状结构之上；包覆层，在所述鳍状结构的侧面并覆盖所述鳍状结构的顶表面和侧壁；以及界面层，在所述包覆层和所述鳍状结构之间，所述界面层包括与所述缓冲层相同的元素。
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