[发明专利]具有自修复作用的固态薄膜集成电路电容器及其制备方法有效
| 申请号： | 201610197451.8 | 申请日： | 2016-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN105869888B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 姚曼文;李菲;陈建文;彭勇;苏振;徐开恩;姚熹 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/015;H01G4/12 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 林君如 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有自修复作用的固态薄膜集成电路电容器，该电容器包括衬底基片、下部电极和上部电极，所述的下部电极涂覆在衬底基片上，该电容器还包括活性钛酸锶薄膜，所述的活性钛酸锶薄膜位于上部电极和下部电极之间，所述的上部电极为Al薄膜，活性钛酸锶薄膜与上部电极之间设有一层具有自修复作用的阳极氧化膜。与现有技术相比，本发明具有能够实现自修复、储能密度高、不存在电解液等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 修复 作用 固态 薄膜 集成电路 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有自修复作用的固态薄膜集成电路电容器，包括衬底基片、下部电极和上部电极，所述的下部电极涂覆在衬底基片上，其特征在于，该电容器还包括活性钛酸锶薄膜，所述的活性钛酸锶薄膜位于上部电极和下部电极之间，所述的上部电极和下部电极均为Al薄膜，活性钛酸锶薄膜与上部电极之间以及活性钛酸锶薄膜与下部电极之间均设有一层具有自修复作用的阳极氧化膜，所述的下部电极的厚度为200～300nm，所述的上部电极的厚度为200～300nm，所述的活性钛酸锶薄膜的厚度为200～300nm，所述的阳极氧化膜的厚度为20～60nm。
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