[发明专利]一种新型铪硅钽氧氮高介电常数栅介质的制备方法在审
| 申请号： | 201610197936.7 | 申请日： | 2016-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN105869992A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 滕昭新 | 申请（专利权）人： | 国网山东省电力公司夏津县供电公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/285;H01L29/423;H01L29/51 |
| 代理公司： | 济南鲁科专利代理有限公司 37214 | 代理人： | 周长义;崔民海 |
| 地址： | 253200 山东省德州*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型铪硅钽氧氮（HfSiTaON）高介电常数栅介质的制备方法，其特征在于：清洗硅片，对清洗后的硅片进行淀积前氧化；在氧化后的硅片上淀积五氧化二钽（Ta2O5）、氧化硅（SiO2）和铪氧氮（HfON）叠层栅介质，其中，Ta2O5位于叠层栅介质的上下界面处，SiO2位于HfON和Ta2O5之间；对淀积了叠层栅介质的硅片进行超声清洗；对清洗后的硅片进行淀积后退火，形成铪硅钽氧氮（HfSiTaON）高介电常数栅介质；在退火后的硅片上形成金属栅；背面溅铝与合金。本发明通过在栅介质中引入Ta可以获得具有较高介电常数的栅介质材料，解决随着小尺寸器件栅介质厚度的减薄而带来栅介质漏电急剧上升和功耗严重增大的问题，其具有更大的金属栅功函数调整能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 铪硅钽氧氮高 介电常数 介质 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种新型铪硅钽氧氮（HfSiTaON）高介电常数栅介质的制备方法，其特征在于：清洗硅片，对清洗后的硅片进行淀积前氧化； 在氧化后的硅片上淀积五氧化二钽（Ta2O5）、氧化硅（SiO2）和铪氧氮（HfON）叠层栅介质，其中， Ta2O5位于叠层栅介质的上下界面处，SiO2位于HfON和Ta2O5之间；对淀积了叠层栅介质的硅片进行超声清洗；对清洗后的硅片进行淀积后退火，形成铪硅钽氧氮（HfSiTaON）高介电常数栅介质；在退火后的硅片上形成金属栅；背面溅铝与合金。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
