[发明专利]一种应用于双向高速开关的栅极驱动电路有效
申请号: | 201610198205.4 | 申请日: | 2016-04-01 |
公开(公告)号: | CN105656295B | 公开(公告)日: | 2018-04-24 |
发明(设计)人: | 黄熙;周映虹 | 申请(专利权)人: | 广州弘熙信息科技有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 510000 广东省广州市天*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种应用于双向高速开关的栅极驱动电路,包括高频隔离电路、低频第一隔离电路、低频第二隔离电路、第一储能电路、第二储能电路、高频第一通路、高频第二通路、第一切换电路、第二切换电路、第一图腾柱电路及第二图腾柱电路;当双向高速开关处于正向工作时,低频切换信号为低电平,高频PWM信号频率高于低频切换信号,高频第一通路输出高频信号,第一储能电路储存的能量通过第一图腾柱电路充至MOS开关Q5的栅极,MOS开关Q6处于恒开通状态;当双向高速开关处于负向工作时,MOS开关Q6处于高频工作状态,Q5处于恒开通状态。该栅极驱动电路解决了可控开关器件在导通或关断时出现的栅极振荡的问题,且减少了驱动损耗。 | ||
搜索关键词: | 一种 应用于 双向 高速 开关 栅极 驱动 电路 | ||
【主权项】:
一种应用于双向高速开关的栅极驱动电路,其特征在于:包括高频隔离电路、低频第一隔离电路、低频第二隔离电路、第一储能电路、第二储能电路、高频第一通路、高频第二通路、第一切换电路、第二切换电路、第一图腾柱电路及第二图腾柱电路;所述高频隔离电路的输入端与高频PWM信号连接,高频隔离电路的第一路输出端分别与第一储能电路的输入端、高频第一通路的输入端连接,高频隔离电路的第二路输出端分别与第二储能电路的输入端、高频第二通路的输入端连接;所述低频第一隔离电路、低频第二隔离电路的输入端分别与低频切换信号连接,低频第一隔离电路的输出端与第一切换电路的信号输入端连接,低频第二隔离电路的输出端与第二切换电路的信号输入端连接;第一储能电路的输出端分别与第一图腾柱电路、第一切换电路的供电输入端连接,第二储能电路的输出端分别与第二图腾柱电路、第二切换电路的供电输入端连接;第一切换电路、高频第一通路的输出端分别与第一图腾柱电路的输入端连接,第二切换电路、高频第二通路的输出端分别与第二图腾柱电路的输入端连接;所述第一图腾柱电路、第二图腾柱电路的参考端共同连接至参考点GND,所述第一图腾柱电路的输出端驱动连接于双向高速开关的MOS开关Q5的栅极,第二图腾柱电路的输出端驱动连接于双向高速开关的MOS开关Q6的栅极;当由MOS开关Q5、MOS开关Q6构成的双向高速开关处于正向工作时,低频切换信号为低电平,同时高频PWM信号的频率高于低频切换信号的频率,高频隔离电路经第一储能电路后,供电给第一切换电路和第一图腾柱电路,低频切换信号经低频第一隔离电路后,输出低电平关闭第一切换电路,高频第一通路导通输出高频信号,此时,第一储能电路储存的能量通过第一图腾柱电路充至MOS开关Q5的栅极,或MOS开关Q5的栅极能量通过第一图腾柱电路泄放,MOS开关Q5处于高频工作状态;同时,高频隔离电路经第二储能电路后,供电给第二切换电路和第二图腾柱电路,低频切换信号经低频第二隔离电路后,输出高电平驱动第二切换电路关闭高频第二通路,第二图腾柱电路输出高电平,MOS开关Q6处于恒开通状态;当由MOS开关Q5、MOS开关Q6构成的双向高速开关处于负向工作时,低频切换信号为高电平,同时高频PWM信号频率高于低频切换信号频率,MOS开关Q6处于高频工作状态,Q5处于恒开通状态。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
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