[发明专利]一种制备高取向性石墨烯纳米结构的方法有效
| 申请号： | 201610198221.3 | 申请日： | 2016-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN105668561B | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 万能 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C01B32/184 | 分类号： | C01B32/184;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人： | 杨晓玲 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高取向性石墨烯纳米结构的制备方法，该方法包括以下步骤步骤10）在衬底表面制备非晶碳纳米线，所述的非晶碳纳米线为含碳的有机物材料制成；步骤20）对非晶碳纳米线施加拉伸应力，并且进行电子束辐照，辐照能量小于非晶碳纳米线材料的表面溅射能量阈值，且小于非晶碳纳米线材料的体刻蚀阈值，辐照时间为5‑200分钟，从而制得高取向性石墨烯纳米结构。该方法可以获得高取向性的石墨烯纳米结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 向性 石墨 纳米 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种高取向性石墨烯纳米结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤10)在衬底表面制备非晶碳纳米线，所述的非晶碳纳米线为含碳的有机物材料制成；步骤20)对非晶碳纳米线施加拉伸应力，并且进行电子束辐照，辐照能量小于非晶碳纳米线材料的表面溅射能量阈值，且小于非晶碳纳米线材料的体刻蚀阈值，辐照时间为5‑200分钟，从而制得沿着应力或者应变方向取向的高取向性石墨烯纳米结构；所述的对非晶碳纳米线施加拉伸应力时，施加的拉伸应力低于非晶碳纳米线的断裂极限，且辐照过程中，由于应力释放导致的非晶碳纳米线沿长度方向产生的应变大于0.001％。
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