[发明专利]一种外延锡酸锶钴薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201610199934.1 | 申请日： | 2016-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN107287563A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 高相东;虎学梅;李效民 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)31261 | 代理人： | 曹芳玲,郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种外延锡酸锶钴薄膜及其制备方法，以钙钛矿结构的单晶或立方结构的单晶为衬底，以锡酸锶钴陶瓷为靶材，采用脉冲激光沉积技术在所述衬底上沉积外延锡酸锶钴薄膜，所述延锡酸锶钴薄膜的化学组成为SrSn1‑xCoxO3，0＜x＜1，其中Co原子取代SrSnO3中的Sn位。本发明制备的锡酸锶钴薄膜具有良好的晶体质量、表面质量、光学及电学性能，可广泛应用于半导体光电器件、传感、太阳能电池等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 锡酸锶钴 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种外延锡酸锶钴薄膜，其特征在于，以钙钛矿结构的单晶或立方结构的单晶为衬底，以锡酸锶钴陶瓷为靶材，采用脉冲激光沉积技术在所述衬底上沉积外延锡酸锶钴薄膜，所述延锡酸锶钴薄膜的化学组成为SrSn1‑xCoxO3，0＜x＜1，其中Co原子取代SrSnO3中的Sn位。
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