[发明专利]硅晶片清洗工艺有效
| 申请号： | 201610200329.1 | 申请日： | 2016-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN105655239B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 邹文龙;张力峰;田利中;白青松;梁会宁 | 申请（专利权）人： | 苏州晶樱光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 215614 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种清洗效率更高的硅晶片清洗工艺，清洗车间温度25±3℃；湿度30％‑60％，采用带有九个池的清洗设备对硅晶片进行清洗，其中一号池水温30℃；二号池内是室温下的柠檬酸溶液，柠檬酸与水的质量比是1∶20；三号池水温40℃；四号池和五号池均是温度为50℃的0.25ml/pcs的碱溶液，六号池、七号池和八号池均是温度为60℃的纯水，九号池内是温度为70℃的纯水，将硅晶片依次通过一号至九号池，一号至八号池均停留190s，待硅晶片进入九号池后进行慢拉脱水，时间控制在25～35s，出水后的硅晶片放入温度为75℃的烘道烘干，30s后取出。本发明的优点是：清洗效果明显，合格率高。 | ||
| 搜索关键词： | 硅晶片 清洗工艺 池水 清洗 柠檬酸 柠檬酸溶液 慢拉脱水 清洗设备 清洗效果 清洗效率 时间控制 碱溶液 质量比 出水 放入 烘道 烘干 取出 合格率 车间 停留 | ||
【主权项】：
1.硅晶片清洗工艺，其特征在于：清洗车间温度25±3℃；湿度30％-60％，采用带有九个池的清洗设备对硅晶片进行清洗，其中一号池水温30℃；二号池内是室温下的柠檬酸溶液，柠檬酸与水的质量比是1∶20；三号池水温40℃；四号池和五号池均是温度为50℃的0.25ml/pcs的碱溶液，六号池、七号池和八号池均是温度为60℃的纯水，九号池内是温度为70℃的纯水，将硅晶片依次通过一号至九号池，一号至八号池均停留190s，且硅晶片均位于液面下方，其中，一号池、三号池、四号池、五号池、六号池、七号池和八号池均使用超声波，待硅晶片进入九号池后进行慢拉脱水，时间控制在25～35s，出水后的硅晶片放入温度为75℃的烘道烘干，30s后取出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
